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G3VM-21AR/21DR MOS FET歐姆龍繼電器

小型DIP4針封裝,實(shí)現(xiàn)與機(jī)械式繼電器相當(dāng)?shù)牡蛯?dǎo)通電阻、高容量開關(guān)的MOS FET繼電器 負(fù)載電壓 30V 連續(xù)負(fù)載電流 4A(最大)
形狀 接點(diǎn)結(jié)構(gòu) 負(fù)載電壓
(最大) *
連續(xù)負(fù)載電流
(最大) *
包裝狀態(tài)/桿狀 包裝狀態(tài)/帶狀
型號 最小包裝
單位(個)
型號 最小包裝
單位(個)
印刷基板用端子 表面安裝端子 表面安裝端子
DIP4 1a 20 V 3 A G3VM-21AR --- 100 --- ---
* 連續(xù)負(fù)載電流 (最大)、 負(fù)載電壓 (最大) : 表示峰值A(chǔ)C、 DC。
注1. 帶狀包裝(表面安裝端子型) 無標(biāo)準(zhǔn)在庫機(jī)種。
注2. 帶狀包裝(表面安裝端子型) 的訂貨請在型號末尾加上(TR) 或(TR05)。
絕對最大額定值 (Ta = 25oC)
項目 符號 定值 單位 條件


側(cè)
LED正向電流 IF 30 mA
重復(fù)峰值LED 正向電流 IFP 1 A 100μs脈沖、100pps
直流正向電流 降低比率 △IF/℃ ?0.3 mA/°C Ta ≥ 25°C
LED反向電壓 VR 5 V
粘合部位溫度 TJ 125 °C


側(cè)
負(fù)載電壓(峰值A(chǔ)C/DC) VOFF 20 V
連續(xù)負(fù)載電流(峰值A(chǔ)C/DC) IO 3 A
導(dǎo)通電流降低比率 △IO/℃ ?30 mA/°C Ta ≥ 25°C
脈沖導(dǎo)通電流 Iop 9 A t = 100 ms, Duty = 1/10
粘合部位溫度 TJ 125 °C
輸入輸出間耐電壓(注1) VI-O 2,500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度 Ta -40 ~ +85 °C 無結(jié)冰、無結(jié)露
保存溫度 Tstg ?55 ~ +125 °C
焊接溫度條件 260 °C 10 s

(注1): 測量輸入輸出間的耐電壓時, 分別對LED針腳、 受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

電氣性能 (Ta = 25oC)
項目 符號 最小 標(biāo)準(zhǔn) 最大 單位 條件


側(cè)
LED正向電 壓 VF 1.18 1.33 1.48 V IF?= 10 mA
反向電流 IR --- --- 10 μA VR?= 5 V
端子間電容 CT --- 70 --- pF V = 0, f = 1 MHz
觸發(fā)LED正 向電流 IFT(IFC) --- 0.7 3 mA IO?= 1 A
復(fù)位LED正 向電流 IFC(IFC) 0.1 0.1 --- mA IOFF?= 10 μA


側(cè)
最大輸出導(dǎo)
通電阻
RON --- 40 80 IF?= 5 mA, t < 1s, IO?=2 A
開路時漏電流 ILEAK --- --- 1 μA VOFF=20V
端子間電容 COFF --- 300 --- pF V = 0, f = 1 MHz
輸入輸出間電容 CI-O --- 0.8 --- pF f = 1 MHz, VS?= 0 V
輸出輸入間電容絕緣電阻 RI-O 1000 108 --- VI-O?= 500 VDC,
ROH ≤ 60%
動作時間 tON --- 1 5 ms IF?= 5 mA, RL?= 200 Ω,
VDD?= 20 V(注2)
復(fù)位時間 tOFF --- 0.3 1
(注2): 動作、復(fù)位時間
動作、復(fù)位時間
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